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Diodes ZXTN2010A Manuel d'utilisateur

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1
SEMICONDUCTORS
SUMMARY
BV
CEO
= 60V : R
SAT
= 34m ; I
C
= 4.5A
DESCRIPTION
Packaged in the E-line outline this new low saturation 60V NPN transistor
offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits
and various driving and power management functions.
FEATURES
•
Extemely low equivalent on-resistance; R
SAT
= 34m at 5A
•
4.5 amps continuous current
•
Up to 15 amps peak current
•
Very low saturation voltages
APPLICATIONS
•
Emergency lighting circuits
•
Motor driving (including DC fans)
•
Solenoid, relay and actuator drivers
•
DC modules
•
Backlight inverters
DEVICE MARKING
ZXT
N20
10
ZXTN2010A
ISSUE 2 - MAY 2006
60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE
DEVICE QUANTITY
ZXTN2010ASTOA
ZXTN2010ASTZ
2000 units / reel
2000 units / carton
ORDERING INFORMATION
PINOUT
E
-
L
I
N
E
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Résumé du contenu

Page 1 - ZXTN2010A

1SEMICONDUCTORSSUMMARYBVCEO= 60V : RSAT= 34m ; IC= 4.5ADESCRIPTIONPackaged in the E-line outline this new low saturation 60V NPN transistoroffers extr

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ZXTN2010ASEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20062PARAMETER SYMBOL VALUE UNITJunction to ambient(a)R⍜JA125 °C/WJunction to ambient(b)R⍜JA175 °C/WNOTES(a) For

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ZXTN2010ASEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20063CHARACTERISTICS

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ZXTN2010ASEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20064PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONSCollector-base breakdown voltage BVCBO150 190 V IC=100␮AColle

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ZXTN2010ASEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20065TYPICAL CHARACTERISTICS

Page 6

ZXTN2010ASEMICONDUCTORS6ISSUE 2 - MAY 2006EuropeZetex GmbHStreitfeldstraße 19D-81673 MünchenGermanyTelefon: (49) 89 45 49 49 0Fax: (49) 89 45 49 49 49

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