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Diodes ZXM61P03F Manuel d'utilisateur

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1
SEMICONDUCTORS
ZXM61P03F
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY
V
(BR)DSS
=-30V; R
DS(ON)
=0.35⍀; I
D
=-1.1A
DESCRIPTION
This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
FEATURES
•
Low on-resistance
•
Fast switching speed
•
Low threshold
•
Low gate drive
•
SOT23 package
APPLICATIONS
•
DC - DC converters
•
Power management functions
•
Disconnect switches
•
Motor control
ORDERING INFORMATION
DEVICE REEL SIZE
(inches)
TAPE WIDTH
(mm)
QUANTITY
PER REEL
ZXM61P03FTA 7 8 embossed 3,000
ZXM61P03FTC 13 8 embossed 10,000
DEVICE MARKING
P03
SOT23
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Résumé du contenu

Page 1 - ZXM61P03F

1SEMICONDUCTORSZXM61P03FISSUE 1 - OCTOBER 200530V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS=-30V; RDS(ON)=0.35⍀; ID=-1.1ADESCRIPTIONThis new ge

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ZXM61P03FSEMICONDUCTORSISSUE 1 - OCTOBER 20052THERMAL RESISTANCEPARAMETER SYMBOL VALUE UNITJunction to Ambient (a) RθJA200 °C/WJunction to Ambient (b)

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ZXM61P03FSEMICONDUCTORSISSUE 1 - OCTOBER 20053CHARACTERISTICS

Page 4

ZXM61P03FSEMICONDUCTORSISSUE 1 - OCTOBER 20054ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT

Page 5

ZXM61P03FSEMICONDUCTORSISSUE 1 - OCTOBER 20055TYPICAL CHARACTERISTICS

Page 6

ZXM61P03FSEMICONDUCTORSISSUE 1 - OCTOBER 200560.1 10 100 0 3-VDS - Drain Source Voltage (V)Capacitance v Drain-Source Voltage 0200)Fp( ecnaticapaC - C

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ZXM61P03FSEMICONDUCTORSISSUE 1 - OCTOBER 20057EuropeZetex GmbHStreitfeldstraße 19D-81673 MünchenGermanyTelefon: (49) 89 45 49 49 0Fax: (49) 89 45 49 4

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