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Diodes DDC144NS Manuel d'utilisateur Page 1

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DDC144NS
DUAL NPN PRE-BIASED TRANSISTOR
General Descriptions
• DDC144NS features discrete dual NPN transistors that
can support continuous maximum current up to 100 mA.
It is suited for applications where the load needs to be
turned on and off using circuits like micro-controllers,
comparators, etc., particularly at a point of load. The
component devices can be used as a part of a circuit or
as a stand alone discrete device.
Features
• Epitaxial Planar Die Construction
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)
• "Green" Device (Note 2)
Mechanical Data
• Case: SOT-363
• Case Material: Molded Plastic. "Green” Molding
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0
• Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
• Terminal Connections: See Figure 2
• Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Alloy 42
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208
• Marking Information: See Page 3
• Ordering Information: See Page 3
• Weight: 0.0065 grams (approximate)
Fig. 1: SOT-363
Fig. 2: Schematic and Pin Configuration
Maximum Ratings, Total Device @T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 3)
P
d
200 mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 3)
R
θ
JA
625
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
, T
STG
-55 to +150
°C
Collector Current
I
C
(max)
100 mA
Maximum Ratings:
Sub-Component Device - Pre-Biased NPN Transistor @T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Unit
Supply Voltage
V
cc
50 V
Input Voltage
V
in
-10 to +40 V
Output Current Io 100 mA
Electrical Characteristics:
Pre-Biased NPN Transistor @T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
V
I(off)
0.5 1.1
⎯
V
V
cc
= 5V, I
O
= 100uA
Input Voltage
V
I(on)
⎯
1.5 3 V
V
O
= 0.3V, I
O
= 2mA
Output Voltage
V
O(on)
⎯
0.1 0.3 V
I
O
/I
I
= 10mA/0.5mA
Input Current
I
I
⎯ ⎯
0.18 mA
V
I
= 5V
Output Current
I
O(off)
⎯ ⎯
0.5 uA
V
cc
= 50V, V
I
= 0V
DC Current Gain
G
I
100
⎯ ⎯ ⎯ V
O
= 5V, I
O
= 5mA
Input Resistor (R1) Tolerance
Δ R1
-30
⎯
+30 %
⎯
Resistance Ratio Tolerance R2/R1 -20
⎯
+20 %
⎯
Gain-Bandwidth Product
f
T
⎯
250
⎯
MHz
V
CE
= 10V, I
E
= 5mA, f = 100 MHz
Notes: 1. No purposefully added lead.
2 . Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.
3. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on page 4 or go to Diodes Inc. suggested pad layout document
AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf
DS30747 Rev. 6 - 2
1 of 4
www.diodes.com
DDC144NS
© Diodes Incorporated
Please click here to visit our online spice models database.
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Résumé du contenu

Page 1 - DDC144NS

DDC144NS DUAL NPN PRE-BIASED TRANSISTOR General Descriptions • DDC144NS features discrete dual NPN transistors that can support continuous maximum

Page 2 -

Typical Characteristics of NPN Transistor @ TA = 25°C unless otherwise specified -50050100250200150501000T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)F

Page 3 - Marking Information

DS30747 Rev. 6 - 2 3 of 4 www.diodes.com DDC144NS © Diodes Incorporated 02.57.5515202512.517.522.5100.1110100V , INPUT VOLTAGE (V) I(ON)

Page 4 - Suggested Pad Layout

Package Outline Dimensions DS30747 Rev. 6 - 2 4 of 4 www.diodes.com DDC144NS © Diodes Incorporated Suggested Pad Layout

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