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Diodes ZXMN7A11G Manuel d'utilisateur Page 1

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Issue 1 - March 2006 1 www.zetex.com
© Zetex Semiconductors plc 2006
ZXMN7A11G
70V N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V
DSS
=70V : R
DS(on)
=0.13⍀
I
D
=3.8A
Description
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast
switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage
power management applications.
Features
• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Low threshold
• Low gate drive
• SOT223 package
Applications
• DC-DC converters
• Power management functions
• Disconnect switches
• Motor control
• Class D audio output stages
Ordering information
Device marking
ZXMN
7A11
Device Reel size
(inches)
Tape width
(mm)
Quantity per reel
ZXMN7A11GTA 7 12 1,000
ZXMN7A11GTC 13 12 4,000
D
S
G
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Résumé du contenu

Page 1 - ZXMN7A11G

Issue 1 - March 2006 1 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006ZXMN7A11G70V N-channel enhancement mode MOSFETSummary VDSS=70V : RDS(on)=0.13⍀ ID=3

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ZXMN7A11GIssue 1 - March 2006 2 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006Absolute maximum ratingsNOTES:(a) For a device surface mounted on 25mm x 2

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ZXMN7A11GIssue 1 - March 2006 3 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006Characteristics

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ZXMN7A11GIssue 1 - March 2006 4 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006Electrical characteristics (at Tamb = 25°C unless otherwise stated)Paramet

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ZXMN7A11GIssue 1 - March 2006 5 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006Typical characteristics

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ZXMN7A11GIssue 1 - March 2006 6 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006Typical characteristics

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ZXMN7A11GIssue 1 - March 2006 7 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006Intentionally left blank

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ZXMN7A11GIssue 1 - March 2006 8 www.zetex.com© Zetex Semiconductors plc 2006For international sales offices visit www.zetex.com/officesZetex products

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