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Diodes BS870 Manuel d'utilisateur Page 2

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BS870
Document number: DS11302 Rev. 18 - 2
2 of 5
www.diodes.com
August 2013
© Diodes Incorporated
BS870
Maximum Ratings (@T
A
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Value Units
Drain-Source Voltage
V
DSS
60 V
Drain-Gate Voltage R
GS
1.0M V
DGR
60 V
Gate-Source Voltage Continuous
V
GSS
20
V
Drain Current (Note 6) Continuous
I
D
250 mA
Thermal Characteristics (@T
A
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Value Units
Total Power Dissipation (Note 6)
P
D
300 mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
JA
417
C/W
Operating and Storage Temperature Range
T
J
, T
STG
-55 to +150
C
Electrical Characteristics (@T
A
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
BV
DSS
60 80
V
V
GS
= 0V, I
D
= 100A
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
0.5 µA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
Gate-Body Leakage
I
GSS
10
nA
V
GS
= 15V, V
DS
= 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
V
GS
(
th
)
1.0 2.0 3.0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
Static Drain-Source On-Resistance
R
DS
(
ON
)
3.5 5.0
V
GS
= 10V, I
D
= 0.2A
On-State Drain Current
I
D
(
ON
)
0.5 1.0
A
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
Forward Transconductance
g
FS
80
mS
V
DS
=10V, I
D
= 0.2A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C
iss
22 50 pF
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
f = 1.0MHz
Output Capacitance
C
oss
11 25 pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
2.0 5.0 pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-On Delay Time
t
D
(
ON
)
2.0 20 ns
V
ES
= 10V, R
L
= 150,
V
DS
= 10V, R
D
= 100 Turn-Off Delay Time
t
D
(
OFF
)
5.0 20 ns
Notes: 6. Device mounted on FR-4 PCB 1.0 x 0.75 x 0.062 inch pad layout as shown on Diodes, Inc. suggested pad layout AP02001, which can be found on
our website at http://www.diodes.com.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
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