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Diodes ZX5T851A Manuel d'utilisateur

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1
SEMICONDUCTORS
SUMMARY
BV
CEO
= 60V : R
SAT
= 34m ; I
C
= 4.5A
DESCRIPTION
PackagedintheE-lineoutlinethisnew5thgenerationlowsaturation60VNPN
transistoroffersextremelylowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DC
circuits and various driving and power management functions.
FEATURES
•
Extemely low equivalent on-resistance; R
SAT
= 34m at 5A
•
4.5 amps continuous current
•
Up to 15 amps peak current
•
Very low saturation voltages
APPLICATIONS
•
Emergency lighting circuits
•
Motor driving (including DC fans)
•
Solenoid, relay and actuator drivers
•
DC modules
•
Backlight inverters
DEVICE MARKING
•
X5T851
ZX5T851A
ISSUE 1 - NOVEMBER 2003
60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE
DEVICE QUANTITY
ZX5T851ASTOA
ZX5T851ASTZ
2000 units / reel
2000 units / carton
ORDERING INFORMATION
PINOUT
E
-
L
I
N
E
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Résumé du contenu

Page 1 - ZX5T851A

1SEMICONDUCTORSSUMMARYBVCEO= 60V : RSAT= 34m ; IC= 4.5ADESCRIPTIONPackagedintheE-lineoutlinethisnew5thgenerationlowsaturation60VNPNtransistoroffersext

Page 2

ZX5T851ASEMICONDUCTORSISSUE 1 - NOVEMBER 20032PARAMETER SYMBOL VALUE UNITJunction to ambient(a)R⍜JA125 °C/WJunction to ambient(b)R⍜JA175 °C/WNOTES(a)F

Page 3

ZX5T851ASEMICONDUCTORSISSUE 1 - NOVEMBER 20033CHARACTERISTICS

Page 4

ZX5T851ASEMICONDUCTORSISSUE 1 - NOVEMBER 20034PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONSCollector-base breakdown voltage BVCBO150 190 V IC=100␮AC

Page 5

ZX5T851ASEMICONDUCTORSISSUE 1 - NOVEMBER 20035TYPICAL CHARACTERISTICS

Page 6

ZX5T851ASEMICONDUCTORS6ISSUE 1 - NOVEMBER 2003EuropeZetex plcFields New RoadChaddertonOldham, OL9 8NPUnited KingdomTelephone (44) 161 622 4444Fax: (44

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