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Diodes AP2121 Manuel d'utilisateur Page 16

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Data Sheet
16
Dec. 2012 Rev. 2. 6 BCD Semiconductor Manufacturing Limited
HIGH SPEED, EXTREMELY LOW NOISE LDO REGULATOR AP2121
Electrical Characteristics (Continued)
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit
Output Voltage
V
OUT
V
IN
=4.2V
1mA≤I
OUT
≤30mA
3.136 3.2 3.264 V
Input Voltage V
IN
6V
Output Current I
OUT
V
IN
-V
OUT
=1V 200 mA
Load Regulation
V
RLOAD
V
IN
=4.2V
1mA≤ I
OUT
≤ 80mA
12 40 mV
Line Regulation
V
RLINE
3.7V≤V
IN
≤6V
I
OUT
=30mA
416mV
Dropout Voltage
V
DROP
I
OUT
=10mA 20 40
mV
I
OUT
=100mA 150 300
I
OUT
=150mA 200 400
I
OUT
=200mA 250 500
Quiescent Current
I
Q
V
IN
=4.2V, I
OUT
=0mA
25 50
μA
Standby Current
I
STD
V
IN
=4.2V
V
CE
in OFF mode
0.1 1
μA
Power Supply
Rejection Ratio
PSRR
Ripple 0.5Vp-p, f=1kHz
V
IN
=4.2V
70 dB
Output Voltage
Temperature Coefficient
ΔV
OUT
/ΔT
I
OUT
=30mA
±320
μV/
o
C
(ΔV
OUT
/V
OUT
)/ΔT
±100
ppm/
o
C
Short Current Limit I
LIMIT
V
OUT
=0V 50 mA
RMS Output Noise
V
NOISE
T
A
=25
o
C
10Hz ≤f≤100kHz
30
μVrms
CE "High" Voltage CE input voltage "High" 1.5 V
CE "Low" Voltage CE input voltage "Low" 0.25 V
CE Pull-down Resistance
R
PD
2.5 5 10 MΩ
Thermal Resistance
(Junction to Case)
θ
JC
SOT-23-3 74
o
C/W
SOT-23-5 74
CSP-4 5
(V
IN
=4.2V, T
J
=25
o
C, C
IN
=1μF, C
OUT
=1μF,
Bold
typeface applies over
-40
o
C
≤
T
J
≤
85
o
C,
unless otherwise specified.)
AP2121-3.2 Electrical Characteristics
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