Diodes AP139 Manuel d'utilisateur Page 4

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AP139
300mA LOW-NOISE CMOS LDO
AP139 Rev. 6 4 of 7 FEBRUARY 2009
www.diodes.com © Diodes Incorporated
Typical Application
AP139
BYP EN
V
OUT
GND
V
IN
C1
1uF
C2
10nF
C3
1uF
IN OUT
Typical Performance Characteristics
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
1.0E+00 1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 1.0E+04 1.0E+05 1.0E+06
Power Supply Rejection Ratio
PSRR (dB)
Frequency (Hz)
BP = 1nF
BP = 5nF
BP = 10nF
BP = 20nF
Iout = 100mA
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
1.0E+00 1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03
1.0E+04 1.0E+05
1.0E+06
Power Supply Rejection Ratio
PSRR (dB)
Frequency (Hz)
100mA
10mA
1mA
BP = 10nF
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
3.5 4 4.5 5 5.5 6
Vcc Vs Quiescent Current
Vcc (V)
Quiescent Current (μ A)
TA=25
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