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N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 – SEPT 93

FEATURES

* 200 Volt V

DS(on)

=23Ω

REFER TO BS107PT FOR GRAPHS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT

Drain-Source Voltage V

200 V

Continuous Drain Current at T

amb

=25°C I

0.12 A

Pulsed Drain Current I

Gate-Source Voltage V

±20

Power Dissipation at T

amb

=25°C P

tot

500 mW

Operating and Storage Temperature Range T

stg

-55 to +150 °C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source

Breakdown Voltage

DSS

200 230 V

=100µA, V

=0V

Gate Body Leakage I

GSS

10 nA VGS=15V, V

=0V

Drain Cut-Off Current I

DSS

30 nA V

=0V, V

=130V

Drain Cut-Off Current I

DSX

µA

=0.2V, V

=70V

Static Drain-Source

on-State Resistance

DS(on)

15 23

Ω

=2.6V, I

=25mA*

=5V, I

=100mA*

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

BS107P

3-23

E-Line

TO92 Compatible

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N-CHANNEL ENHANCEMENTMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 – SEPT 93FEATURES* 200 Volt VDS*RDS(on)=23ΩREFER TO BS107PT FOR GRAPHSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARA

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